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PSMN017-80BS,118  与  IPB26CNE8N G  区别

型号 PSMN017-80BS,118 IPB26CNE8N G
唯样编号 A-PSMN017-80BS,118 A-IPB26CNE8N G
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 50A D2PAK MOSFET N-CH 85V 35A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 71W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 80V -
Pd-功率耗散(Max) 103W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2070pF @ 40V
输出电容 154pF -
栅极电压Vgs 3V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT404 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 175℃ -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 50A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 39uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 31nC @ 10V
输入电容 1573pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 26 毫欧 @ 35A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 35A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 17mΩ@10V -
漏源电压(Vdss) - 85V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
200+ :  ¥6.7304
400+ :  ¥5.5167
800+ :  ¥4.7971
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN017-80BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN017-80BS_SOT404 N-Channel 103W 175℃ 3V 80V 50A

¥6.7304 

阶梯数 价格
200: ¥6.7304
400: ¥5.5167
800: ¥4.7971
0 当前型号
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